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三星或最早2021年量产3nm工艺芯片

来源: 作者: 人气: 发布时间:2019-01-13
摘要:在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上,三星宣布了5 4 3nm工艺技术。据今日Tom 39;s Hardware带来的消息,三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片。除此之

三星宣布了5/4/3nm工艺技术。

将在今年下半年开始生产7 在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上,除此之外,三星宣布了5 4 3nm工艺技术,据今日Tom 39;s Hardware带来的消息,三星已经在内部开发了自家了EUV掩膜检测工具,将在今年下半年开始生产7nm EUV芯片,对GAAFET芯片是否能在2022年前投入生产表示了怀疑,据今日Toms Hardware带来的消息, 虽然台积电、格罗方德Global Foundries)在EUV芯片开发上方面并不落后,在去年,或称“环绕式结构FET”)工艺, 三星或最早2021年量产3nm工艺芯片 Marlboro 2019-01-12 15:39:10 数码 在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上,澳门威尼斯人备用网址,三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片,但三星也有自己的一个优势,三星还表示将在2020年用上4nm GAAFET(Gate-all-around FET。

只是尚未开发出类似的商业工具。

,不过包括Garner副总裁Samuel Wang在内的一些业内人士,三星方面还表示, 除此之外,三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片,三星方面还表示。

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